9月8日消息，據(jù)彭博社、華爾街日?qǐng)?bào)等外媒報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)科技巨頭三星電子半導(dǎo)體部門負(fù)責(zé)人慶桂顯(Kyung Kye-hyun)昨日在新聞發(fā)布會(huì)上表示，今年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)不佳，截至目前為止，尚未看到明年市場(chǎng)可能明顯復(fù)蘇的跡象。

△資料圖，Kyung Kye-hyun

　　慶桂顯表示，產(chǎn)業(yè)原先共識(shí)是下半年表現(xiàn)將比上半年更強(qiáng)勁，然而到了春末，需求水準(zhǔn)明顯“發(fā)生巨大變化”，反而大幅下降。

　　慶桂顯坦言：“今年下半年看起來(lái)很糟，到目前為止，似乎并沒有顯示出明年會(huì)有明顯改善的跡象”。

　　值得注意的是，慶桂顯罕見公開承認(rèn)，在芯片普遍短缺時(shí)期，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)在確保位客戶供應(yīng)方面的努力中出現(xiàn)失誤，導(dǎo)致三星“在硅谷沒有那么好的聲譽(yù)”。

　　慶桂顯坦言：“在晶圓代工業(yè)務(wù)中，除贏得客戶外，長(zhǎng)期的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系也很重要，但我們?cè)谶@方面做得不夠好?！彼难栽谶@方面做出改善。

　　資料顯示，三星半導(dǎo)體部門涵蓋DRAM、儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)、晶圓代工等重點(diǎn)業(yè)務(wù)，并有多項(xiàng)關(guān)鍵半導(dǎo)體元件研發(fā)制造，在DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域更是全球龍頭。

　　業(yè)界認(rèn)為，三星對(duì)后市持悲觀看法，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)首當(dāng)其沖。

　　近期半導(dǎo)體市場(chǎng)負(fù)面消息不斷，主要受地緣政治、疫情、通膨等因素導(dǎo)致終端消費(fèi)力道銳減，庫(kù)存水位節(jié)節(jié)攀升影響，各大廠紛紛啟動(dòng)應(yīng)對(duì)措施，包括臺(tái)積電在內(nèi)的指標(biāo)廠普遍認(rèn)為，明年上半年庫(kù)存調(diào)整可告一段落，但三星認(rèn)為迄今尚未看到明年市場(chǎng)可能復(fù)蘇的跡象，是現(xiàn)階段國(guó)際半導(dǎo)體大廠當(dāng)中最悲觀。

　　此前，包括英特爾、AMD、英偉達(dá)、美光等國(guó)際科技巨頭都釋出保守展望，凸顯PC、消費(fèi)性電子與伺服器等相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)正面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

　　英特爾坦言，下半年的展望“有大量雜音”，該公司尋求調(diào)整支出和投資。美光則示警，由于PC和智能手機(jī)銷售減少，“產(chǎn)業(yè)需求環(huán)境已經(jīng)轉(zhuǎn)弱”。英偉達(dá)更面臨顯卡庫(kù)存爆倉(cāng)的壓力，正積極透過(guò)降價(jià)等策略出清庫(kù)存。

　　慶桂顯強(qiáng)調(diào)，三星的策略是針對(duì)市場(chǎng)變化快速反應(yīng)，可在經(jīng)濟(jì)放緩時(shí)，以既有優(yōu)勢(shì)爭(zhēng)取更多市占率。他還提到了3nm進(jìn)度，將持續(xù)提升效能與降低成本，目標(biāo)2024年量產(chǎn)下世代3nm晶片。

　　談及美國(guó)邀約南韓共組“Chip 4聯(lián)盟”時(shí)，慶桂顯說(shuō)，希望政府將“優(yōu)先尋求中國(guó)大陸的理解，然后再與美國(guó)磋商”，“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，當(dāng)我們必須向大陸廠投入新設(shè)備時(shí)，可能會(huì)有些困難”。

　　此前消息顯示，如果在美建晶圓廠的廠商想要申請(qǐng)美國(guó)“芯片法案”的補(bǔ)貼，將禁止在未來(lái)10年內(nèi)在中國(guó)大陸投資先進(jìn)制程。此外，多家美系半導(dǎo)體設(shè)備廠商也已確認(rèn)，應(yīng)美國(guó)政府要求，已停止向大陸出口14nm及以下先進(jìn)制程所需的設(shè)備。不過(guò)，有消息稱，韓國(guó)廠商已經(jīng)獲得了豁免，但該消息未獲相關(guān)方證實(shí)。