11月13日消息，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，即便蘋果下修明年第一季度的iPhone手機(jī)芯片流片量，受益于高通及聯(lián)發(fā)科旗艦智能手機(jī)芯片的帶動(dòng)，明年上半年臺(tái)積電3nm產(chǎn)能利用率維持滿載。另外，在AI芯片助攻下，明年上半年5nm產(chǎn)能利用率可能達(dá)到101%。

此外，據(jù)供應(yīng)鏈人士透露，英偉達(dá)(NVIDIA)Blackwell GPU系列將逐步放量，今年底前將量產(chǎn)約20萬(wàn)顆的B200芯片。明年第三季度，英偉達(dá)還將推出B300A，旺盛的AI芯片需求將會(huì)延續(xù)。從先進(jìn)封裝CoWoS產(chǎn)能來(lái)看，今年年底臺(tái)積電月產(chǎn)能將達(dá)到3.6萬(wàn)片，明年伴隨新廠產(chǎn)能開出，明年底的月產(chǎn)能或?qū)⒊^(guò)9萬(wàn)片。

根據(jù)臺(tái)積電最新公布的10月份業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)來(lái)看，營(yíng)收達(dá)3142.4億新臺(tái)幣，環(huán)比增長(zhǎng)24.8%，同比增長(zhǎng)29.2%，再次創(chuàng)下歷史新高。

這也反應(yīng)了臺(tái)積電第四季未受消費(fèi)性電子淡季影響、產(chǎn)線維持滿載，在AI需求加持下步入營(yíng)收快速成長(zhǎng)周期，3nm投資成效開始顯現(xiàn)。業(yè)界分析，憑借技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，后續(xù)臺(tái)積電通過(guò)將5nm轉(zhuǎn)換為3nm，將有更多3nm產(chǎn)能開出。

臺(tái)積電3nm成功，也助力了聯(lián)發(fā)科天璣旗艦級(jí)芯片的競(jìng)爭(zhēng)力。供應(yīng)鏈透露，三星自研芯片受限自家代工廠的良率，預(yù)計(jì)明年三星手機(jī)芯片缺口將達(dá)15%，也使得聯(lián)發(fā)科有機(jī)會(huì)切入。因此iPhone流片下修約10%對(duì)臺(tái)積電產(chǎn)能利用率影響不大。而明年手機(jī)主流仍采3nm情況下，臺(tái)積電將繼續(xù)主導(dǎo)3nm先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。

在5nm家族部分，由于英偉達(dá)Blackwell GPU放量助攻，預(yù)計(jì)明年上半年的產(chǎn)能利用率將達(dá)101%。此外，臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠一期工程預(yù)計(jì)也將會(huì)在明年年初量產(chǎn)。Blackwell GPU今年底有望交付20萬(wàn)顆、明年將持續(xù)放量為臺(tái)積電貢獻(xiàn)營(yíng)收。按照英偉達(dá)產(chǎn)品路線圖規(guī)劃，明年第三季將有采用3nm制程的B300/B300A 芯片推出，分別采CoWoS-L與CoWoS-S先進(jìn)封裝。

為應(yīng)對(duì)先進(jìn)封裝需求，臺(tái)積電CoWoS至今年年底將達(dá)到3.6萬(wàn)片每月的產(chǎn)能，明年年底將會(huì)達(dá)到9萬(wàn)片以上，爆發(fā)點(diǎn)集中在明年第四季，特別是南科新廠快速上線，將緩解先進(jìn)封裝產(chǎn)能壓力。