導語：4月15日，美國政府宣布與韓國三星電子達成一項初步協(xié)議，依據(jù)《芯片法案》提供至多64億美元的直接補貼?；诖?，三星將在得克薩斯州投資超過400億美元，建設包括兩座先進邏輯代工廠，一座封裝廠等一整套半導體研發(fā)和生產(chǎn)生態(tài)。

 4月15日，美國政府宣布與韓國三星電子達成一項初步協(xié)議，依據(jù)《芯片法案》提供至多64億美元的直接補貼。基于此，三星將在得克薩斯州投資超過400億美元，建設包括兩座先進邏輯代工廠，一座封裝廠等一整套半導體研發(fā)和生產(chǎn)生態(tài)。結合4月上旬拿到66億美元補貼的臺積電，3月末拿到85億美元補貼的英特爾，以及今年2月拿到15億美元補貼的格芯(GlobalFoundries)，目前四大芯片制造大廠都已經(jīng)拿到補貼。

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，臺積電、三星、格芯在2023年第四季全球前十大晶圓代工業(yè)者占據(jù)前三榜，而在第三季英特爾也曾成功擠進前十榜單，排名第九。TrendForce集邦咨詢預計，2024年在AI相關需求的帶動下，前十大晶圓代工營收預估有機會年增12%，達1,252.4億美元，而臺積電受惠于先進制程訂單穩(wěn)健，年增率將大幅優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均。

近期包括臺積電、三星、聯(lián)電、力積電、世界先進在內的廠商紛紛發(fā)布最新財報，從各家數(shù)據(jù)看，晶圓代工行業(yè)景氣度有所回升。據(jù)悉，臺積電3月實現(xiàn)營收約60.5億美元，同比增長34.3%;三星2024年一季度營業(yè)利潤約為6.6萬億韓元(合49億美元)，同比增長931.3%;力積電今年第一季營收108.2億元新臺幣，毛利率回升至 15.4%;聯(lián)電3月實現(xiàn)營收約5.63億美元，同比增長2.7%;世界先進3月實現(xiàn)營收約1.12億美元，同比增長44.8%。

三星：新建兩座代工廠，擴充HBM芯片封裝產(chǎn)能

據(jù)美國商務部國家標準及技術研究所官網(wǎng)(NIST)貼出的聲明，三星電子此次與美國政府簽訂的是不具約束力的初步備忘錄。

三星電子將在得克薩斯州的兩個地點建立一個半導體生態(tài)集群，包括在泰勒市建設兩座先進邏輯代工廠，制程分別為4nm和2nm;在泰勒市新建一座先進制程研發(fā)設施;在泰勒市新建一座可進行3D HBM內存的生產(chǎn)和2.5D封裝先進封裝工廠;在奧斯汀擴建現(xiàn)有半導體設施，擴大FD-SOI(全耗盡型絕緣體上硅)工藝產(chǎn)能。

作為配套美國政府還將通過《芯片法案》提供4000萬美元的當?shù)貏趧恿ε嘤柊l(fā)展資金。另外，除了協(xié)議中提到的64億美元直接撥款外，三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預期能夠覆蓋合規(guī)資本支出的25%。

臺積電：66億美元補助，將在美建設第三座晶圓廠

4月8日，美國商務部和臺積電簽署一份不具約束力的初步備忘錄(PMT)，基于《芯片與科學法》，臺積電將獲得最高可達66億美元的直接補助。當日臺積電宣布計劃在美國亞利桑那州建設第三座晶圓廠。

當前，臺積電在美國亞利桑那州的晶圓一廠、二廠正在如火如荼地進行。其中，晶圓一廠有望于2025年上半年開始采用4nm技術生產(chǎn)。晶圓二廠除了之前宣布的3nm技術外，還將生產(chǎn)世界上最先進的2nm工藝技術，采用下一代納米片晶體管，并于2025年開始生產(chǎn)。

臺積電表示，其第三座晶圓廠將使用2納米或更先進的工藝生產(chǎn)芯片，并計劃在2028年開始生產(chǎn)，預計將創(chuàng)造約6,000個直接高科技、高薪工作崗位。此外，根據(jù)大鳳凰城經(jīng)濟發(fā)展促進會(Greater Phoenix Economic Council)的分析報告，針對這三座晶圓廠的增額投資將創(chuàng)造累計超過2萬個單次的建造工作機會，以及數(shù)以萬計的間接供應商和消費端累計的工作機會。

據(jù)悉，算上美國政府的補貼，臺積電在亞利桑那州建設的三座晶圓廠投資總金額將超過650億美元，其中包括先前宣布的400億美元投資計劃，此次追加的250億美元將主要用于第三座晶圓廠的建設經(jīng)費上。對此，美國商務部長雷蒙多(Gina Raimondo)表示，這些晶圓廠將支援所有人工智能的芯片。

英特爾：195億美元補貼，最少建設兩座新廠

3月20日，美國商務部宣布，與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT)，將根據(jù)美國芯片法案向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款。

其中，85億美元的直接資金將分批發(fā)放，這取決于英特爾是否達到一些特定的“里程碑”。一旦協(xié)議被確定，提供給英特爾的相關資金最早或在今年晚些時候到位。

英特爾將在美國四個州投資超1000億美元，包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠生產(chǎn)尖端半導體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠的設備研發(fā)和先進封裝項目。

資料顯示，英特爾于2022年宣布在俄亥俄州建設兩座新廠，預計完工時間為2025年。不過近期英特爾表示，兩座工廠的實際建設完工時間或將推遲到2026年或2027年，而投產(chǎn)則要等到2027年或2028年。

格芯：獲15億美元補貼，新建一個半導體生產(chǎn)設施

2月19日，美國政府宣布向格芯(Global Foundries)提供15億美元資金補貼，根據(jù)與美國商務部達成的初步協(xié)議，格芯將在美國紐約州馬耳他建立一個新的半導體生產(chǎn)設施，并擴大在馬耳他和佛蒙特州伯靈頓的現(xiàn)有業(yè)務。

此外，除了15億美元的補貼之外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，最后帶動的投資可能在120億美元左右。

針對格芯補貼，美國商務部長雷蒙多說，格芯馬耳他工廠的擴建將確保通用汽車(GM)等汽車供應商和制造商能取得穩(wěn)定的的芯片供給。格芯和通用汽車在2月9日已宣布了長期協(xié)議，通用將能取得美國制造的處理器，以避免芯片短缺，導致工廠停產(chǎn)的事件重演。而格芯整修后的伯靈頓工廠將成為美國第一家能夠大量生產(chǎn)下一代氮化鎵(GaN)硅芯片的工廠，此種芯片可用于電動車、電網(wǎng)和智能手機。