近日，“2021年中國(guó)運(yùn)動(dòng)控制/直驅(qū)產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳隆重舉行，五百多名業(yè)內(nèi)人士匯聚一堂，共謀行業(yè)發(fā)展大計(jì)。

在主論壇環(huán)節(jié)，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)常軍鋒發(fā)表《新變局下的中國(guó)半導(dǎo)體新機(jī)遇》的演講，深入介紹國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及發(fā)展機(jī)遇、以及新時(shí)期下對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的思考。

// 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

據(jù)介紹，2020年全球半導(dǎo)體銷售收入為4404億美元，同比2019年增長(zhǎng)6.9%，預(yù)計(jì)2021年全球IC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)4884億美元，增速為10.9%。

2015－2020年全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長(zhǎng)情況

2020年我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求19270.3億元，同比增長(zhǎng)7.8%，半導(dǎo)體產(chǎn)品需求持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

2014-2020年我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求增長(zhǎng)狀況

2020年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為8848億元，同比增長(zhǎng)17.0%。其中，設(shè)計(jì)業(yè)銷售額3778.4億元，同比增長(zhǎng)23.3%；制造業(yè)銷售額為2560.1億元，同比增長(zhǎng) 19.1%；封裝測(cè)試業(yè)銷售額2509.5億元，同比增長(zhǎng)6.8%。

2015－2020年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入規(guī)模增長(zhǎng)情況

2020年我國(guó)進(jìn)口集成電路5435億塊，同比增長(zhǎng)22.1%，進(jìn)口金額3500.4億美元，同比增長(zhǎng) 14.6%；出口集成電路2598億塊，同比增長(zhǎng)18.8%，出口金額1166億美元，同比增長(zhǎng)14.8%，貿(mào)易逆差達(dá)到2334.4億美元。

2015-2020年中國(guó)集成電路進(jìn)出口金額統(tǒng)計(jì)情況

2020年全球半導(dǎo)體研發(fā)支出達(dá)到 728 億美元，較 2019 年增長(zhǎng) 8.67%，研發(fā)支出前十大半導(dǎo)體公司合計(jì)479億美元，較2019年成長(zhǎng)13.2%。

2020年全球半導(dǎo)體研發(fā)支出前十大企業(yè)

2020年全球前十大專屬晶圓代工企業(yè)營(yíng)收額為4424億元，其中中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)占到4家，臺(tái)積電的綜合營(yíng)收占前十大專屬晶圓代工企業(yè)營(yíng)收總和的66%。

2020全球十大專屬晶圓代工企業(yè)

2020年全球十大IC封測(cè)業(yè)營(yíng)收額為1589.76億元，總市占率為83.976%。

2020年全球IC封測(cè)業(yè)前十大代工企業(yè)

// 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備制造商產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

SEMI 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商的銷售額為 711.9 億美元， 比 2019 年的597.5 億美元增長(zhǎng)了 19%，這一數(shù)據(jù)超越了 2018 年銷售額最高點(diǎn)再創(chuàng)歷史新高。

其中，全球晶圓加工設(shè)備的銷售額增長(zhǎng)了 19%，其他前端細(xì)分市場(chǎng)（包括掩膜 / 掩模版制造，硅片制造和傳送系統(tǒng)、凈化系統(tǒng)）的銷售額增長(zhǎng)了 4%，封裝設(shè)備顯示強(qiáng)勁增長(zhǎng)，2020 年市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng) 34%，測(cè)試設(shè)備銷售額增長(zhǎng) 20%。

全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額變化趨勢(shì)（億美元）

2020 年，國(guó)內(nèi)集成電路制造、封測(cè)生產(chǎn)線新建和擴(kuò)建項(xiàng)目增多，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)集成電路設(shè)備的需求量大增，中國(guó)大陸市場(chǎng)的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額比上年增長(zhǎng) 39%，達(dá)到 187.2 億美元，首次成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。

中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)則是第二大設(shè)備市場(chǎng)，其銷售額在 2019 年呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)后，在 2020 年保持穩(wěn)定，達(dá)到 171.5 億美元。

韓國(guó)保持 61% 的增長(zhǎng)，達(dá)到 160.8 億美元，居第三位。日本和歐洲分別增長(zhǎng)了21% 和 16%，這兩個(gè)地區(qū)開(kāi)始逐步從 2019 年的經(jīng)濟(jì)衰退中恢復(fù)。而對(duì)于北美地區(qū)，在經(jīng)歷連續(xù)三年增長(zhǎng)之后，2020 年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額相比于上年降低了 20%。

2020 年全球主要國(guó)家 / 地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）

// 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

對(duì)于我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)面對(duì)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)常軍鋒指出，1、全國(guó)產(chǎn)業(yè)政策密集發(fā)布，產(chǎn)業(yè)得到高度重視，多緯度多層級(jí)支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展；2、國(guó)產(chǎn)自主可控，促使國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品在相關(guān)領(lǐng)域得到應(yīng)用落地；3、電子信息業(yè)繼續(xù)保持高速發(fā)展，從而帶動(dòng)上游不斷創(chuàng)新，為走出去奠定基礎(chǔ)；4、產(chǎn)業(yè)基金、證券（科創(chuàng)板、創(chuàng)業(yè)板、北交所等）、銀行等提供資本支撐等利好因素將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)積極、健康發(fā)展；

與此同時(shí)，1、國(guó)際環(huán)境日趨復(fù)雜，給產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全帶來(lái)挑戰(zhàn)；2、微電子技術(shù)迅猛發(fā)展，帶來(lái)的技術(shù)先進(jìn)性的挑戰(zhàn)，關(guān)鍵技術(shù)突破困難；3、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)，企業(yè)高度集中，參與難度加大；知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的壁壘逐步強(qiáng)化，人才需求進(jìn)一步吃緊等復(fù)雜情況也帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。

今年以來(lái)我國(guó)制造業(yè)普遍出現(xiàn)芯片荒，常秘書(shū)長(zhǎng)認(rèn)為有以下幾方面的原因：

其一、美國(guó)挑起的貿(mào)易摩擦，打亂了全球化的供應(yīng)鏈體系，每家整機(jī)廠商都在恐慌性備貨。整機(jī)制造廠從提倡的零庫(kù)存轉(zhuǎn)向自庫(kù)存?zhèn)湄?，富士康?kù)存在4個(gè)月以上；

其二、中間環(huán)節(jié)渠道商和中間商囤貨和炒貨、串貨；

其三、由于疫情影響，產(chǎn)業(yè)鏈端：全球產(chǎn)業(yè)鏈上的企業(yè)產(chǎn)能影響；應(yīng)用端：平板、電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的需求增加；

其四、新能源汽車及配套產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率器件／模塊的需求持續(xù)高漲。

值得一提的是，常秘書(shū)長(zhǎng)指出從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，我國(guó)目前的最薄弱環(huán)節(jié)為基礎(chǔ)材料研究和先進(jìn)設(shè)備制造。中國(guó)設(shè)計(jì)業(yè)和封測(cè)業(yè)相對(duì)進(jìn)步較快，其中制造行業(yè)最為薄弱。中國(guó)以及粵港澳大灣區(qū)最具優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。

第三代半導(dǎo)體材料主要包括SiC、GaN、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。

和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最有前景的材料，在國(guó)防、航空、航天、石油勘探、光存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景。

在寬帶通訊、太陽(yáng)能、汽車制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略行業(yè)可以降低50%以上的能量損失，最高可以使裝備體積減小75%以上，對(duì)人類科技的發(fā)展具有里程碑的意義。