導(dǎo)語(yǔ)：近年來(lái)，三星電子持續(xù)加大采購(gòu)力度，以確保更多EUV光刻設(shè)備的供應(yīng)。其目標(biāo)是，在2024年上半年進(jìn)入3nm世代的第二代工藝，2025年進(jìn)入2nm工藝，最終于2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝的突破。

三星和蔡司合作深化EUV研發(fā)

三星電子正在與蔡司集團(tuán)深化在下一代極紫外(EUV)光刻技術(shù)和芯片技術(shù)領(lǐng)域的合作。

三星電子執(zhí)行董事長(zhǎng)李在镕在訪問(wèn)位于奧伯科亨的全球光學(xué)和光電子技術(shù)集團(tuán)總部時(shí)，與蔡司公司總裁兼首席執(zhí)行官Karl Lamprecht及其他高管進(jìn)行了會(huì)晤。

雙方同意擴(kuò)大在EUV技術(shù)和尖端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)方面的合作，以進(jìn)一步增強(qiáng)在代工和存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力。

作為全球頂尖的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片生產(chǎn)商，三星電子與蔡司集團(tuán)在EUV技術(shù)方面擁有廣泛的合作基礎(chǔ)。

通過(guò)與蔡司集團(tuán)深化合作，三星電子期望改進(jìn)其下一代半導(dǎo)體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造工藝，并提高先進(jìn)芯片的產(chǎn)量。

通過(guò)這次合作，三星希望提升下一代半導(dǎo)體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造流程，提高先進(jìn)芯片的生產(chǎn)良率。

蔡司還計(jì)劃到2026年投資480億韓元在韓國(guó)建設(shè)研發(fā)中心，加強(qiáng)同三星等韓企的戰(zhàn)略合作，以建立其首個(gè)海外研究工作站，專注于解決方案研發(fā)。

三星電子的目標(biāo)是推動(dòng)3納米以下的微制造工藝技術(shù)的發(fā)展，并計(jì)劃在今年采用EUV光刻技術(shù)量產(chǎn)第六代10納米DRAM芯片。

此外，該公司還計(jì)劃在東北亞地區(qū)建立首個(gè)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)芯片流程控制解決方案研發(fā)中心，以滿足該地區(qū)對(duì)光學(xué)解決方案不斷增長(zhǎng)的需求。

蔡司的決定，源于韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)以及電池和電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)光學(xué)解決方案的旺盛需求。

蔡司亦提供光觸發(fā)器解決方案，該方案在光刻過(guò)程中具有關(guān)鍵性作用。光觸發(fā)器是一種具有透明區(qū)域和特定圖案的不透明板或薄膜。

蔡司集團(tuán)是全球領(lǐng)先的極紫外(EUV)光系統(tǒng)供應(yīng)商ASML Holding NV的唯一光學(xué)系統(tǒng)供應(yīng)商，對(duì)于全球芯片產(chǎn)業(yè)，特別是代工芯片制造商如臺(tái)積電和三星電子等具有重要影響力。

全球光刻機(jī)光學(xué)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)35億美元，蔡司一家獨(dú)大。光刻機(jī)光學(xué)部件指直接參與光的傳輸和處理過(guò)程精密零部件。

蔡司的半導(dǎo)體制造技術(shù)部門是其主要業(yè)務(wù)，營(yíng)收逐年增長(zhǎng)。2020年始，半導(dǎo)體部門超越其他部門成為蔡司的核心光學(xué)部門。

蔡司的四大業(yè)務(wù)部門在2022年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28、21、23、16億歐元，占比分別為31%、24%、26%、18%。

半導(dǎo)體光學(xué)營(yíng)收逐年增長(zhǎng)，且增速較其他部門始終維持高位。2015-2022財(cái)年半導(dǎo)體光學(xué)營(yíng)收從8.9增至27.6億歐元，CAGR達(dá)17%。

首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)正式交貨

據(jù)相關(guān)報(bào)道，ASML Holding NV已開(kāi)始向英特爾公司運(yùn)送其最新芯片制造機(jī)的主要部件。

這一重要進(jìn)展標(biāo)志著雙方合作關(guān)系的進(jìn)一步深化，并將對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

據(jù)不愿透露姓名的知情人士透露，該高數(shù)值孔徑極紫外線系統(tǒng)已順利運(yùn)抵英特爾位于俄勒岡州的D1X工廠。

然而，英特爾和ASML的發(fā)言人對(duì)于該系統(tǒng)的具體目的地保持緘默，未發(fā)表任何評(píng)論。

ASML在去年的聲明中明確指出，英特爾計(jì)劃于2025年開(kāi)始生產(chǎn)該系統(tǒng)。

D1X工廠作為英特爾研發(fā)未來(lái)生產(chǎn)技術(shù)的關(guān)鍵設(shè)施，對(duì)于提升公司競(jìng)爭(zhēng)力具有重要意義。

去年九月份，ASML宣布計(jì)劃在今年年底前推出業(yè)界首款高數(shù)值孔徑極紫外(EUV)光刻掃描儀。

這一創(chuàng)新成果為下一代EUV光刻機(jī)的開(kāi)發(fā)帶來(lái)了希望之光。

ASML的高數(shù)值孔徑掃描儀將顛覆傳統(tǒng)半導(dǎo)體工廠的配置模式。

新型光學(xué)器件和更大規(guī)模的新光源需求，將促使工廠結(jié)構(gòu)發(fā)生變革，進(jìn)而引發(fā)大規(guī)模投資熱潮。

英特爾最初計(jì)劃在其18A(1.8nm)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)中采用ASML的High-NA工具，并定于2025年進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

然而，隨著ASML預(yù)計(jì)交付其Twinscan EXE:5200，英特爾決定將18A生產(chǎn)的開(kāi)始時(shí)間推遲至2024年下半年。

為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，英特爾選擇了ASML的Twinscan NXE:3600D/3800E進(jìn)行兩次曝光，并與應(yīng)用材料公司的Endura Sculpta圖案成形系統(tǒng)相結(jié)合，以降低EUV雙圖案化的使用頻率。

與此同時(shí)，三星代工廠和臺(tái)積電亦計(jì)劃于2025年末在其2納米級(jí)節(jié)點(diǎn)(SF2、N2)上開(kāi)始芯片生產(chǎn)。

盡管High NA機(jī)器如何納入他們的生產(chǎn)計(jì)劃尚存疑問(wèn)，但可以預(yù)見(jiàn)的是，這一技術(shù)將對(duì)整個(gè)行業(yè)產(chǎn)生重要影響。

除了英特爾公司外，臺(tái)積電、三星、SK海力士以及美光等全球知名企業(yè)亦已訂購(gòu)了這款高端設(shè)備。

然而，鑒于該設(shè)備的運(yùn)輸和安裝流程可能耗時(shí)長(zhǎng)達(dá)六個(gè)月，英特爾公司的這一決策無(wú)疑使其在行業(yè)內(nèi)獲得了至少半年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

根據(jù)媒體的相關(guān)報(bào)道，臺(tái)積電、三星、美光等知名企業(yè)，除了英特爾之外，亦向ASML公司訂購(gòu)了先進(jìn)的High NA EUV光刻機(jī)。

在ASML公司最近公布的財(cái)報(bào)中，顯示今年第一季度公司新增訂單總額達(dá)到36億歐元，其中EUV光刻機(jī)訂單金額為6.56億歐元。

此外，ASML近期成功交付了第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)，但并未公開(kāi)透露具體買家信息。

結(jié)尾：

三星電子為獲取新一代EUV光刻機(jī)，早在2022年即由董事長(zhǎng)李在镕出面與ASML達(dá)成合作意向，并簽署了引進(jìn)EUV光刻設(shè)備和高數(shù)值孔徑(NA) EUV光刻機(jī)設(shè)備的協(xié)議。

另一方面，臺(tái)積電亦表明，他們計(jì)劃在2024年獲得ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)，并預(yù)計(jì)在2025年正式開(kāi)始量產(chǎn)2納米芯片。