導(dǎo)語：據(jù)彭博社統(tǒng)計，以美國與歐盟為代表的大型經(jīng)濟體已投入數(shù)百億美元，用于研發(fā)與量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，這還只是首批到位的資金。與此同時，韓國與日本也加入芯片“補貼競賽”。隨著大量資金不斷涌入半導(dǎo)體，全球芯片之爭將愈演愈烈。

 據(jù)彭博社統(tǒng)計，以美國與歐盟為代表的大型經(jīng)濟體已投入數(shù)百億美元，用于研發(fā)與量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，這還只是首批到位的資金。與此同時，韓國與日本也加入芯片“補貼競賽”。隨著大量資金不斷涌入半導(dǎo)體，全球芯片之爭將愈演愈烈。

韓國：投入190億美元支持芯片產(chǎn)業(yè)

5月23日，韓國公布高達26萬億韓元(約190億美元)規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綜合支持計劃，包括提供大規(guī)模融資支持，以及擴大建設(shè)半導(dǎo)體園區(qū)及各種基礎(chǔ)建設(shè)、研發(fā)人員培育的投資規(guī)模，涉及企業(yè)包括芯片制造商、原料供應(yīng)商和芯片設(shè)計企業(yè)等。

該計劃的核心內(nèi)容是韓國產(chǎn)業(yè)銀行設(shè)立總值17萬億韓元(約124億美元)的融資支持項目，專門用于半導(dǎo)體行業(yè)基建投資。同時韓國將延長對芯片投資的稅收減免優(yōu)惠，確保半導(dǎo)體超級集群投資順利進行。

半導(dǎo)體是韓國重要的經(jīng)濟增長源頭產(chǎn)業(yè)，隨著美歐大力補貼芯片產(chǎn)業(yè)，韓國積極應(yīng)對，推動本土芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

今年1月韓國對外發(fā)布《全球最大最好半導(dǎo)體超級集群構(gòu)建方案》，提出到2047年為止，投入622萬億韓元(約4540億美元)的投資，新建包括研發(fā)工廠在內(nèi)的16個工廠，在韓國京畿道南部平澤、華城、龍仁、利川、水原等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)密集城市構(gòu)建“半導(dǎo)體超級集群”，預(yù)計到2030年，芯片生產(chǎn)能力將達到每月770萬張。

歐洲：2030年將吸引1000億歐元資金

近期，歐盟委員會一位官員對外透露，《歐洲芯片法案》有望在2030年前幫助歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)吸引超過1000億歐元(約1080億美元)資金。

上述官員還表示，歐盟委員會計劃在九月前完成對四條先進半導(dǎo)體中試線資助計劃的審核，并正在籌劃另一條投資規(guī)模不詳?shù)墓韫庾訉W(xué)芯片中試線。

《歐洲芯片法案》已于2023年9月正式生效，目標是到2030年將歐盟在全球半導(dǎo)體市場的份額從現(xiàn)在的10%提高到至少20%。該法案承諾將調(diào)動430億歐元(約464億美元)的補貼資金，其中110億歐元(約118億美元)將用于先進制程芯片技術(shù)的研發(fā)。

業(yè)界透露，歐洲最大的兩個芯片項目位于德國，德國計劃拿出200億美元補貼，以提高芯片產(chǎn)量，其中約75%的資金將流向英特爾和臺積電。

英特爾計劃在德國馬格德堡斥資超300億歐元(330億美元)建設(shè)晶圓廠，預(yù)計可以獲得近110億美元的政府補助;臺積電計劃在德國建設(shè)其首座歐洲工廠，同樣將獲得政府補助。近期媒體報道該工廠建廠作業(yè)正在按計劃進行，將在2024年第四季度開始建設(shè)。

日本：已籌集約253億美元用于芯片領(lǐng)域

為增強半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā)于生產(chǎn)能力，日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域同樣提供了大量補貼，涵蓋包括吸引外資建廠、加強本土尖端制程研發(fā)與生產(chǎn)等方面。

媒體報道，日本自2021年6月制定了《半導(dǎo)體與數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》至今，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省已為其芯片產(chǎn)業(yè)籌集了約253億美元，涉及廠商包括臺積電、Rapidus等。

今年2月臺積電熊本廠正式開幕，這是臺積電在日本的第一座工廠(Fab23)，未來總產(chǎn)能將達40~50Kwpm規(guī)模，其制程將以22/28nm為主，還有少量的12/16nm，為后續(xù)的熊本二廠主力制程作準備。

4月，日本批準向Rapidus公司提供高達39億美元的補貼，Rapidus是該國本土半導(dǎo)體制造公司，計劃于2027年量產(chǎn)2納米芯片。

除了晶圓代工之外，日本還積極發(fā)力存儲器產(chǎn)業(yè)。此前日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省宣布提供2429億日元(15.46億美元)，補貼給鎧俠和西部數(shù)據(jù)，用于在三重縣和巖手縣興建兩座最先進的 NAND 閃存芯片生產(chǎn)工廠，以滿足人工智能和大數(shù)據(jù)中心的需求。上述合資工廠將218層3D NAND芯片。

美國：向臺積電、三星、英特爾等撥款290億美元

美國《芯片和科學(xué)法案》于2022年8月推出，該法案計劃為美國芯片研究、開發(fā)、制造和勞動力發(fā)展提供了527億美元的資助，并為制造芯片與相關(guān)設(shè)備資本支出提供25%的投資稅收抵免。

近期媒體報道，自2023年12月以來，美國已經(jīng)撥款約290億美元，向包括三星、臺積電、英特爾、美光等廠商提供補助，而上述芯片制造商則承諾在美國當前和未來的芯片制造項目中投入約3000億美元。

今年4月美光、三星與臺積電獲得了美國資金補助，其中美光將在紐約州北部和愛達荷州博伊西(其總部所在地)建立兩個新的芯片制造工廠，獲得了61.4億美元的資金;三星將在德克薩斯州泰勒建立領(lǐng)先的邏輯、研發(fā)和先進封裝工廠，并擴建德克薩斯州奧斯汀的成熟制程節(jié)點的生產(chǎn)工廠，獲得了64億美元補助;臺積電在亞利桑那州鳳凰城開發(fā)三座尖端晶圓廠，獲得了66億美元補助。

此前，美國微芯科技公司與英特爾也分別獲得了1.62億美元與85億美元的資助，其中英特爾的85億美元是迄今為止美國芯片法案提供的最多的一筆資助，英特爾將利用該筆資金推動其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的商業(yè)芯片項目進展。