導(dǎo)語：6月4日，意法半導(dǎo)體(ST)與吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。

6月4日，意法半導(dǎo)體(ST)與吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。

按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。

此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(gòu)(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、高級駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。

據(jù)數(shù)據(jù)顯示，吉利汽車2023年全年總銷量168萬輛，其中新能源汽車銷量48萬輛，占吉利汽車全年總銷量的28%，同比增長達(dá)48%，新能源轉(zhuǎn)型卓有成效，行業(yè)影響力顯著提升。

從產(chǎn)品上看，吉利汽車集團(tuán)電驅(qū)逆變器已采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的第三代SiC MOSFET器件。電驅(qū)逆變器是電驅(qū)系統(tǒng)的核心, 而碳化硅MOSFET可以全面提高電驅(qū)逆變器的能效。將先進(jìn)的逆變器設(shè)計(jì)與SiC等高效功率半導(dǎo)體相結(jié)合，是實(shí)現(xiàn)電動汽車卓越性能的關(guān)鍵。

資料顯示，意法半導(dǎo)體具備先進(jìn)的SiC生產(chǎn)技術(shù)和完全垂直整合的供應(yīng)鏈。在汽車領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于牽引逆變器、車載充電器機(jī)(OBC)、直流-直流變換器 (DC-DC)、充電樁及電動壓縮機(jī)應(yīng)用，可以極大提高新能源汽車的性能、能效和續(xù)航里程。

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平表示，中國是全球最大的新能源汽車市場和領(lǐng)先的創(chuàng)新市場。ST致力于通過在本地設(shè)立的技術(shù)創(chuàng)新中心，以及與汽車產(chǎn)業(yè)鏈上的客戶和合作伙伴建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，更好地支持中國的汽車創(chuàng)新和轉(zhuǎn)型升級。

2023年6月，意法半導(dǎo)體宣布與中國化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)三安光電達(dá)成合資協(xié)議，在重慶新建一個(gè)8英寸SiC器件合資制造廠，以更好滿足中國客戶需求。同時(shí)，意法半導(dǎo)體正在與更多中國知名汽車制造商、工業(yè)客戶和解決方案供應(yīng)商在SiC領(lǐng)域展開合作，攜手加速中國電氣化產(chǎn)業(yè)進(jìn)程。

值得一提的是，意法半導(dǎo)體剛宣布斥資50億歐元建設(shè)世界首個(gè)全流程集成碳化硅工廠。該公司將在意大利Catania新建一座大批量200mm碳化硅(SiC)工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新工廠的目標(biāo)是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達(dá)15,000片晶圓。據(jù)悉意大利政府將提供約20億歐元的補(bǔ)助支持。

目前，意法半導(dǎo)體在位于意大利Catania和新加坡Ang Mo Kio的兩條150mm晶圓生產(chǎn)線上，生產(chǎn)其旗艦大批量SiC產(chǎn)品。第三個(gè)中心是意法半導(dǎo)體與三安光電的合資企業(yè)，目前正在重慶(中國)建設(shè)一座200mm工廠，專門為意法半導(dǎo)體服務(wù)中國市場。

除了意法半導(dǎo)體，博世、英飛凌等國際巨頭紛紛與我國碳化硅企業(yè)展開一系列合作。此外，從國內(nèi)碳化硅研發(fā)動態(tài)來看，晶升股份已成功研發(fā)出液相法SiC晶體生長設(shè)備并提供給了多家客戶，將會繼續(xù)配合客戶不斷進(jìn)行設(shè)備的優(yōu)化和改進(jìn)工作;科友半導(dǎo)體自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實(shí)現(xiàn)突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點(diǎn)厚度超過60mm的導(dǎo)電型6英寸碳化硅單晶。

隨著新能源汽車、能源等應(yīng)用市場對功率器件碳化硅的需求不斷推升，碳化硅用量持續(xù)走高，其市場規(guī)模不斷增大。據(jù)2023年全球SiC Power Device市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達(dá)25%。